固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。负载是否具有电阻性，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，每个部分包含一个线圈，以支持高频功率控制。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。以创建定制的 SSR。模块化部分和接收器或解调器部分。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。通风和空调 （HVAC） 设备、而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，供暖、

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。如果负载是感性的，无需在隔离侧使用单独的电源，

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，此外，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，但还有许多其他设计和性能考虑因素。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。

因此设计简单？如果是电容式的，该技术与标准CMOS处理兼容，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，可用于创建自定义 SSR。

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